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据韩媒etnews今日报道，公示三星和LG已被证实正在开发基于高通芯片的XR设备。注：季度交易三星、季度交易高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性。
此外，电力LG还表示当前正在开发智能眼镜。▲图为高通第二代骁龙XR2平台预计三星和LG将基于第三代芯片制造XR终端，直接以应对Meta的Quest和苹果的VisionPro等产品。司宏国表示，用电LG在多个领域具有专长，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很多进展。
司宏国对XR设备的前景表示看好：侧偏差结我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国（HugoSwart）日前在美国毛伊岛上的活动中表示，算情关于合作目前不能透露细节，算情但我们确实在与三星电子、LG电子合作。
三星和LG并未明确说明何时推出产品，安徽报道称最早预计在明年上半年。
同时，公示司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，公示将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片本文计算的位点能量是通过在框架的不同位点插入单个碱离子来确定的，季度交易这对于确定畸变的影响是一个很好的近似值，季度交易但是当考虑所有移动碱离子之间的库仑相互作用时，可能会有所不同。
五、电力【成果启示】综上所述，电力本文通过高熵材料中的局部无序性，能够在不改变晶体结构的情况下改变性能，这为固态电池中的结构排列涂层和中间层开辟了可能性，即使具有混合的离子-电子导电性。直接（C-E）HAADF-STEM图像和元素映射。
用电（B）在三种标准材料中引入0.1Å的标准偏差后计算的位点能。高熵材料使离子的联合溶解度具有较大的离子半径差，侧偏差结产生了键长偏差，侧偏差结从而增强扩散，所有三种高熵材料的离子电导率都比它们的单金属对应物高出几个数量级。
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